مقالات مدیریت دانش- مجموعه نهم

مقالات مدیریت دانش- مجموعه نهم - مجموعه مناسب دانشجویانی است که در حال تحقیق و پژوهش پیرامون موضوع مدیریت دانش می باشند مقالات مدیریت دانش مجموعه نهم این مجموعه شامل 10مقاله در ارتباط با مدیریت دانش می باشد فایل کلیه مقالات PDF لیست مقالات در یک فایل اکسل جداگانه تعداد صفحات مقالات 223 حجم فایل زیپ دانلودی 37 MB

---

فهرست مقالات به شرح ذیل می باشد :
ردیف عنوان مقاله تعداد صفحات
3581 ارائة مدلی برای سنجش میزان آمادگی سازما ن ها در زمینة مدیریت دانش (مورد مطالعه: مرکز آمار ایران) 23
3582 کاربست تحلیل شبکه اجتماعی برای استخراج نیازهای سیستم مدیریت دانش در سازمان های دانش بنیان 14
3583 بررسی رابطه بین فرهنگ سازمانی و مدیریت دانش در سازمان آموزش و پرورش شهرستان سمنان 26
3584 فراموشی سازمانی هدفمند (استراتژیک): اکسیر رقابت پذیری در سازمان 26
3585 بررسی تجربی ارتباط استراتژی فناوری با استراتژی و عملکرد کسب وکار در صنایع الکترونیک ایران 19
3586 موانع انسانی مدیریت دانش در سیستم مالی ارتش جمهوری اسلامی ایران 26
3587 سنجش سطح بلوغ مدیریت دانش در سازمان ها از طریق یک مدل بلوغ توسعه یافته مدیریت دانش 29
3588 دیدگاه منبع محور مدیریت دانش و کسب مزیت رقابتی 22
3589 بررسی عوامل مؤثر در استقرار موفقیت آمیز مدیریت دانش (مطالعه موردی: سازمان مخابرات استان خوزستان) 18
3590 مدیریت دانش در شرکت های کوچک و کارآفرین:بررسی عوامل سازمانی اثرگذار در ایجاد و انتقال دانش در صنعت انفورماتیک ایران 20

پرداخت و دانلود

مشخصات فروشنده

نام و نام خانوادگی : حسین طالب زاده

شماره تماس : [phone]

ایمیل :[e-mail]

سایت :fileforosh.ir

مشخصات فایل

فرمت : pdf

تعداد صفحات : 223

قیمت : برای مشاهده قیمت کلیک کنید

حجم فایل : 3759 کیلوبایت

برای خرید و دانلود فایل و گزارش خرابی از لینک های روبرو اقدام کنید...

پرداخت و دانلودگزارش خرابی و شکایت از فایل

پکیج 5 رام رسمی و فارسی اچ تی سی مدل HTC D820U MT6582 مخصوص فلش تولز

فایل فلش D820U MT6582 مخصوص فلش تولز - پکیج 5 رام رسمی و فارسی اچ تی سی مدل HTC D820U MT6582 مخصوص فلش تولز

---

راهنما:بعد از خرید انلاین یه فایل کم حجم فشرده رو دانلود خواهید کرد.این فایل کم حجم رو از حالت فشرده خارج کرده یک فایل تکست که حاوی لینک دانلود اصلی فایل است برای شما قابل مشاهده و استفاده خواهد بود.
فایل فول فلش رسمی و فارسی اچ تی سی مدل HTC D820U MT6582
رام کامل حاوی فایل های یوزر دیتا و کش وقابل رایت از طریق فلش تولز
پکیج 5 عدد رام جهت رفع مشکلات تصویر و خاموشی و سریال بعد از فلش
جاوی اندروید های 4.4.2 و 4.4.4

این مدل یعنی HTC D820U در دو نوع سی پی یو کوامل کام و مدیا تک تولید و عرضه شده.تمامی عناوین ذکر شده دربالا برای مدل سری مدیا تک ان یعنی مدل HTC D820U با سی پی یو MT6582 است.
پس از خرید پکیج 5 عدد رام که 4 عدد ان قابل رایت از طریق فلش تولز و کرک میراکل و 1 عدد رام با پسوند BIN قابل رایت ز طریق کرک میراکل در دسترس شما خواهد بود.
Device:HTC Model: D820U Android: 4.4.2 & 4.4.4 Cpu: MT6582 Language:Multi Language Status: Official Type: Full firmware image

فایل فلش D820U MT6582
فایل فلش فارسی D820U MT6582
رام D820U MT6582
مشکل فلش D820U MT6582
فلش نشدن D820U MT6582
مشکل تصویر D820U MT6582 بعد از فلش
مشکل تاچ D820U MT6582 بعد از فلش
مشکل صفحه سیاهی D820U MT6582 بعد از فلش
مشکل سریال D820U MT6582
فایل ترمیم سریال D820U MT6582
ارور فلش D820U MT6582
D820U MT6582 rom
D820U MT6582 firmware
D820U MT6582 Screen Fix
D820U MT6582 Imei Fix
D820U MT6582 NVRAM
فایل فلش HTC D820U MT6582 فایل فلش فارسی HTC D820U MT6582 رام HTC D820U MT6582 مشکل فلش HTC D820U MT6582 فلش نشدن HTC D820U MT6582 مشکل تصویر HTC D820U MT6582 بعد از فلش مشکل تاچ HTC D820U MT6582 بعد از فلش مشکل صفحه سیاهی HTC D820U MT6582 بعد از فلش مشکل سریال HTC D820U MT6582 فایل ترمیم سریال HTC D820U MT6582 ارور فلش HTC D820U MT6582 HTC D820U MT6582 rom HTC D820U MT6582 firmware HTC D820U MT6582 Screen Fix HTC D820U MT6582 Imei Fix HTC D820U MT6582 NVRAM فایل فلش HTC D820U MTk فایل فلش فارسی HTC D820U MTk رام HTC D820U MTk مشکل فلش HTC D820U MTk فلش نشدن HTC D820U MTk مشکل تصویر HTC D820U MTk بعد از فلش مشکل تاچ HTC D820U MTk بعد از فلش مشکل صفحه سیاهی HTC D820U MTk بعد از فلش مشکل سریال HTC D820U MTk فایل ترمیم سریال HTC D820U MTk ارور فلش HTC D820U MTk HTC D820U MTk rom HTC D820U MTk firmware HTC D820U MTk Screen Fix HTC D820U MTk Imei Fix HTC D820U MTk NVRAM

پرداخت و دانلود

مشخصات فروشنده

نام و نام خانوادگی : حسین طالب زاده

شماره تماس : [phone]

ایمیل :[e-mail]

سایت :fileforosh.ir

مشخصات فایل

فرمت : rar

تعداد صفحات : 1

قیمت : برای مشاهده قیمت کلیک کنید

حجم فایل : 1 کیلوبایت

برای خرید و دانلود فایل و گزارش خرابی از لینک های روبرو اقدام کنید...

پرداخت و دانلودگزارش خرابی و شکایت از فایل

فایل فول فلش رسمی و فارسی اچ تی سی مدل HTC D816W MT6582 مخصوص فلش تولز به همراه فایل ترمیم سریال و حل مشکلات تصویر بعد از فلش

فایل فلش D816W MT6582 مخصوص فلش تولز - فایل فول فلش رسمی و فارسی اچ تی سی مدل HTC D816W MT6582 مخصوص فلش تولز به همراه فایل ترمیم سریال و حل مشکلات تصویر بعد از فلش

---

راهنما:بعد از خرید انلاین یه فایل کم حجم فشرده رو دانلود خواهید کرد.این فایل کم حجم رو از حالت فشرده خارج کرده یک فایل تکست که حاوی لینک دانلود اصلی فایل است برای شما قابل مشاهده و استفاده خواهد بود.
فایل فول فلش رسمی و فارسی اچ تی سی مدل HTC D816W MT6582
رام کامل حاوی فایل های یوزر دیتا و کش وقابل رایت از طریق فلش تولز
بدون مشکل تصویر -صفحه سیاهی -صفحه شطرنجی- تاچ
حل کامل مشکلات تصویر و تاچ بعد از فلش
بدون مشکل سریال و بیس باند بعد از فلش
و حل مشکل سریال و بیس باند بدون نیاز به روت و توسط فلش تولز
به مشخصه برد TH55-MB-V1.2 20140601

این مدل یعنی HTC D816W در دو نوع سی پی یو کوامل کام و مدیا تک تولید و عرضه شده.تمامی عناوین ذکر شده دربالا برای مدل سری مدیا تک ان یعنی مدل HTC D816W با سی پی یو MT6582 و مشخصه بردTH55-MB-V1.2 20140601 است.
به این نکته توجه داشته باشید ممکن هست همین سری مدیا تک درچندین نوع برد تولید شده باشند. فایل بالا و تمامی عناوین توضیح داده شده برای مشخصه برد TH55-MB-V1.2 20140601 است. لذا جهت اطمینان دستگاه را باز کردن و مشخصه برد را مطابقت بدید که در انجام کار به مشکلی برخورد نکنید.در صورتی که در اثر سهل انگاری شما مغایرت در نوع مشخصه برد بعد از خرید مشخص شود فروشگاه هیچ مسئولیتی قبول نخواهد کرد.
در پکیج بالا فایل فول فلش رسمی و فارسی این مدل به همراه فایل های لازم برای حل مشکلات تصویر و تاچ و سریال بعد از فلش هست که معمولا بر اثر رایت فایل غیر صحیحی ایجاد میگردد.

Device:HTC Model: D816W Android: 4.4.2 Cpu: MT6582 Language:Multi Language Status: Official Type: Full firmware image فایل فلش D816W MT6582 فایل فلش فارسی D816W MT6582 رام D816W MT6582 مشکل فلش D816W MT6582 فلش نشدن D816W MT6582 مشکل تصویر D816W MT6582 بعد از فلش مشکل تاچ D816W MT6582 بعد از فلش مشکل صفحه سیاهی D816W MT6582 بعد از فلش مشکل سریال D816W MT6582 فایل ترمیم سریال D816W MT6582 ارور فلش D816W MT6582 D816W MT6582 rom D816W MT6582 firmware D816W MT6582 Screen Fix D816W MT6582 Imei Fix D816W MT6582 NVRAM فایل فلش HTC D816W MT6582 فایل فلش فارسی HTC D816W MT6582 رام HTC D816W MT6582 مشکل فلش HTC D816W MT6582 فلش نشدن HTC D816W MT6582 مشکل تصویر HTC D816W MT6582 بعد از فلش مشکل تاچ HTC D816W MT6582 بعد از فلش مشکل صفحه سیاهی HTC D816W MT6582 بعد از فلش مشکل سریال HTC D816W MT6582 فایل ترمیم سریال HTC D816W MT6582 ارور فلش HTC D816W MT6582 HTC D816W MT6582 rom HTC D816W MT6582 firmware HTC D816W MT6582 Screen Fix HTC D816W MT6582 Imei Fix HTC D816W MT6582 NVRAM فایل فلش D816W MTk فایل فلش فارسی D816W MTk رام D816W MTk مشکل فلش D816W MTk فلش نشدن D816W MTk مشکل تصویر D816W MTk بعد از فلش مشکل تاچ D816W MTk بعد از فلش مشکل صفحه سیاهی D816W MTk بعد از فلش مشکل سریال D816W MTk فایل ترمیم سریال D816W MTk ارور فلش D816W MTk D816W MTk rom D816W MTk firmware D816W MTk Screen Fix D816W MTk Imei Fix D816W MTk NVRAM TH55-MB-V1.2 20140601 TH55-MB-V1.2 20140601 Firmware TH55-MB-V1.2 20140601 rom TH55-MB-V1.2 20140601 fileflash TH55 MB V1.2 20140601 TH55_MB_V1.2 20140601

پرداخت و دانلود

مشخصات فروشنده

نام و نام خانوادگی : حسین طالب زاده

شماره تماس : [phone]

ایمیل :[e-mail]

سایت :fileforosh.ir

مشخصات فایل

فرمت : rar

تعداد صفحات : 1

قیمت : برای مشاهده قیمت کلیک کنید

حجم فایل : 0 کیلوبایت

برای خرید و دانلود فایل و گزارش خرابی از لینک های روبرو اقدام کنید...

پرداخت و دانلودگزارش خرابی و شکایت از فایل

دانلود پایان نامه مدل سازی ترانسفورمر با اثر اشباع

مدل سازی ترانسفورمر با اثر اشباع - دانلود پایان نامه مدل سازی ترانسفورمر با اثر اشباع

---

دانلود پایان نامه مهندسی برق
مدل سازی ترانسفورمر با اثر اشباع

چکیده
در این پایان نامه بصورت مشروح به مدلسازی ترانسفورماتور با اثر اشباع خواهیم پرداخت و ابتدا از مدلسازی ترانسفورماتور ایده-ال آغاز خواهیم کرد، سپس معادلات شار نشتی را با توجه به اینکه مدلسازی باید بازتاب رفتار بیرونی المان باشد، شرایط پایانه های ترانسفورماتور را بررسی می کنیم و در ادامه بصورت مشروح و به روشهای مختلف اشباع ترانسفورماتوررا وارد مدل خود خواهیم نمود و در قسمت بعد منحنی اشباع با مقادیر لحظه ای را توضیح می دهیم و به بررسی مقدار خطای حاصل از عدم استفاده از منحنی اشباع با مقادیر لحظه ای خواهیم پرداخت و در نهایت بصورت مشروح شبیه سازی ترانسفورماتور پنج ستونی را در حوزه زمان بررسی می کنیم.


کلمات کلیدی:
اثر اشباع
مدلسازی ترانسفورماتور
شبیه سازی ترانسفورماتور
روشهای مختلف اشباع ترانسفورماتور


مقدمه
استفاده عمده ترانسفورماتورهای الکتریکی برای تغییر اندازه ولتاژ ac، ایجاد جدا سازی (ایزولاسیون) الکتریکی، و تطبیق امپدانس بار با منبع است. ترانسفورماتورها از دو یا چند سیم پیچ ساکن تشکیل میشوند که به صورت مغناطیسی تزویج شده اند و اغلب ـ و نه اجباراً ـ به منظور حداکثر نمودن تزویج داری هسته با نفوذ پذیری بالایی هستند. معمولاً، سیم پیچ ورودی، سیم پیچ اولیه نامیده می شود و بقیه سیم پیچها که خروجی از آنها کشیده می شود به عنوان سیم پیچهای ثانویه نامیده می شود. ترانسفورماتورهای قدرت که در فرکانسهای پایین، بینHz 25 تا Hz400 کار می کنند، برای متمرکز کردن مسیر شار پیوندی سیم پیچها، دارای هسته آهنی هستند. ترانسفورماتورهایی که برای کار در فرکانسهای بالا ساخته می شوند، هسته هایی از فریت پودری یا هوایی دارند تا از تلفات بیش از حد جلوگیری کنند. تلفات جریان گردابی در هسته آهنی را می توان با استفاده از ساختار ورقه ای کاهش داد. برای ترانسفورمرهای Hz 60 ورقه های هسته نوعاً در حدود mm 35/0 ضخامت دارد.



فهرست مطالب
مدل سازی ترانسفورمر با اثر اشباع 1
چکیده 2
مدلسازی ترانسفورماتور 3
1 مقدمه 3
2 ترانسفورماتور ایده آل 4
شکل (2) ترانسفورماتور ایده ال
شکل (1) ترانسفورماتور 5
شکل (3) ترانسفورماتور ایده ال بل بار 6
3 معادلات شار نشتی 7
شکل (4) ترانسفورماتور با مولفه های شار پیوندی و نشتی 8
4 معادلات ولتاژ 11
5 ارائه مدار معادل 13
شکل (5) مدرا معادل ترانسفورماتور 14
6 مدلسازی ترانسفورماتور دو سیم پیچه 15
شکل (6) دیاگرام شبیه سازی یک ترانسفورماتور دو سیم پیچه 19
7 شرایط پایانه ها (ترمینالها) 20
شکل (7) ترکیب RL موازی 22
شکل (8) ترکیب RC موازی 23
8 وارد کردن اشباع هسته به شبیه سازی 24
8-1 روشهای وارد کردن اثرات اشباع هسته 25
شکل (10) رابطه بین و 27
شکل (9) منحنی مغناطیس کنندگی مدار باز ترانسفورماتور 27
شکل (11) دیاگرام شبیه سازی یک ترانسفورماتور دو سیم پیچه با اثر اشباع 30
8-2 شبیه سازی رابطه بین و 30
شکل (12) رابطه بین و 31
شکل (13) رابطه بین و 31
ناحیه اشباع کامل : 32
9 منحنی اشباع با مقادیر لحظهای 34
9-1 استخراج منحنی مغناطیس کنندگی مدار باز با مقادیر لحظهای 35
شکل (15) شار پیوندی متناظر شکل (14) سینوسی 36
شکل (14) منحنی مدار باز با مقادیر RMS 36
شکل (16) جریان لحظه ای متناظر با تحریک ولتاژ سینوسی 37
9-2 بدست آوردن ضرایب معادله انتگرالی 39
10 خطای استفاده از منحنی مدار باز با مقادیر RMS 41
شکل (18) منحنی مدار باز با مقادیر RMS
شکل (17) منحنی مدار باز با مقادیر لحظهای 42
شکل (20) میزان خطای استفاده از منحنی لحظهای
شکل (19) میزان خطای استفاده از منحنی RMS 43
11 شبیه سازی ترانسفورماتور پنج ستونی در حوزه زمان 43
شکل (21) مدار معادل مغناطیسی ترانسفورماتور سه فاز سه ستونه 45
شکل (22) مدار معادل الکتریکی ترانسفورماتور سه فاز سه ستونه 46
شکل (23) مدار معادل مغناطیسی ترانسفورماتور سه فاز پنج ستونه 47
11-1 حل عددی معادلات دیفرانسیل 50
11-1-1 روش EULER 50
شکل (25) انتگرالگیری در یک استپ زمانی به روش اولر 51
11-1-2 روش ADAMS 52
11-1-3 روش TRAPEZOIDAL 55
12 روشهای آزموده شده برای حل همزمان معادلات دیفرانسیل 56
مراجع 59

پرداخت و دانلود

مشخصات فروشنده

نام و نام خانوادگی : محمد همتی

شماره تماس : [phone]

ایمیل :[e-mail]

سایت :fileina.com

مشخصات فایل

فرمت : doc

تعداد صفحات : 63

قیمت : برای مشاهده قیمت کلیک کنید

حجم فایل : 938 کیلوبایت

برای خرید و دانلود فایل و گزارش خرابی از لینک های روبرو اقدام کنید...

پرداخت و دانلودگزارش خرابی و شکایت از فایل

ارزیابی پروسه نم زدایی از گاز طبیعی و اثر پارامترهای مختلف بر روی بازده برجهای آکنده

ارزیابی پروسه نم زدایی از گاز طبیعی و اثر پارامترهای مختلف بر روی بازده برجهای آکنده - در این پایان نامه ارزیابی پروسه نم زدایی از گاز طبیعی و اثر پارامترهای مختلف بر روی بازده برجهای آکنده پالایشگاه گاز فراشبند مورد بررسی قرار می گیرد

---

دانلود پایان نامه مهندسی شیمی
ارزیابی پروسه نم زدایی از گاز طبیعی و اثر پارامترهای مختلف بر روی بازده برجهای آکنده
(مطالعه موردی:پالایشگاه گاز فراشبند)


چکیده
نم زدایی یا رطوبت زدایی یکی از مراحل پالایش گاز طبیعی است. پس از تفکیک نفت با گاز مقداری آب آزاد همراه با گاز طبیعی وجود دارد که بیشتر آن توسط روش‌های جداسازی ساده در سر چاه یا در نزدیکی آن از گاز جدا می‌شود. در حالیکه بخار آب موجود در محلول گاز میبایست طی فرایندی بسیار پیچیده تحت عنوان عملیات نم‌زدایی و یا رطوبت‌زدایی از گازطبیعی تفکیک گردند.انتخاب روش نم زدایی بستگی به شرایط گاز (اجزاء تشکیل دهنده و فشار و دما و دبی) و میزان نیاز به نم زدایی دارد. مقدار آب موجود در گاز را می توان با نقطه شبنم گاز در فشار و دمای مورد نظر مشخص کرد . کاهش نقطه شبنم، نشانگر مقدار آبی است که در فرآیند نم زدایی از گاز جدا می شود.

در این پایان نامه ارزیابی پروسه نم زدایی از گاز طبیعی و اثر پارامترهای مختلف بر روی بازده برجهای آکنده پالایشگاه گاز فراشبند مورد بررسی قرار می گیرد.



کلمات کلیدی:
برجهای آکنده
نم زدایی از گاز طبیعی
برج جذب آکنده صنعتی
پروسه نم زدایی از گاز طبیعی
اثر پارامترهای مختلف بر روی بازده برجهای آکنده



رطوبت زدایی با محلول گلایکول
نوع متداول نم زدایی جذب (absorption) با عنوان نم زدایی گلایکول که ماده اصلی این فرایند می‌باشد شناخته می‌شود. در این فرایند، از مایع نم زدای خشک کننده حاوی گلایکول برای جذب بخار آب از جریان گاز استفاده می‌شود. دراین نوع فرایند اغلب از دو محلول گلایکول باسامی دی اتیل گلایکول (DEG) یا تری اتیل گلایکول (TEG) استفاده می‌گردد.خواص ملکولی ماده گلایکول شباهت بسیاری با آب دارد بنابراین چنانچه در تماس با جریانی از گازطبیعی قرار گیرد، رطوبت آب موجود در جریان گاز را جذب و جمع آوری می‌نماید. ملکولهای سنگین شده گلایکول در انتهای تماس دهنده جهت خروج از نم زدا جمع و خارج می‌شو ند سپس گازطبیعی خشک نیزاز جانب دیگر به بیرون از نم زدا انتقال می‌یاید.محلول گلایکول را از میان دیگ بخار به منظور تبخیر نمودن آب محلول در آن و آزاد کردن گلایکول جهت استفاده مجدد آن در فرایندهای بعدی نم زدایی عبور می‌دهند. این عمل با بهره گیری از پدیده فیزیکی یعنی وجود اختلاف در نقطه جوش آب تا 212درجه فارنهایت (100 درجه سانتیگراد ) و گلایکول تا 400 درجه فارنهایت صورت می‌گیرد.

رطوبت زدایی با ماده خشک کننده جامد
رطوبت زدایی با ماده خشک کننده جامد که معمولاً مؤثرتر از نم زداهای گلایکول هستند نیز با استفاده از روش جذب سطحی صورت می‌گیرد. جهت این کار به حداقل دو برج یابیشتر نیاز می‌باشد که بکمک یک ماده خشک کننده جامد شامل آلومینا یا ماده سیلیکاژل پرشده است. نم زدایی با ماده خشک کننده جامد اولین شیوه نم زدایی گازطبیعی با استفاده از روش جذب سطحی است گازطبیعی از داخل این برج ها، از بالا به پایین عبور داده می‌شوند. گازطبیعی دراین فرایند ضمن عبور از اطراف ذرات ماده خشک کننده رطوبت‌های موجود در جریان گازطبیعی به سطح ذرات ماده خشک کننده جذب می‌گردد و باتکمیل این فرایند تقریباً تمام آب توسط ماده خشک کننده جامد جذب شده و نهایتا گاز خشک از انتهای برج خارج شود.

این نوع از سیستم نم زدایی از آنجاییکه در رابطه باحجم فراوان گاز تحت فشارهای بالا مناسب هستند معمولاً در انتهای یک خط لوله در یک ایستگاه کمپرسور قرار دارند. در این سیستم نیز همانند گلایکول در روش اول ماده خشک کننده جامد بعد از اشباع شدن از آب جهت احیاء و استفاده‌های مکرر از سیستم‌های گرمکن با درجه حرارت بالا جهت تبخیر بخار آب موجود در گلایکول بکار گرفته می‌شوند.گاز طبیعی اینک با طی تمام مراحل تصفیه به طور کامل فرآورش و برای مصرف آماده گردید بنابراین در پایان با تقویت فشار آن تا حدود 1000 psi و پس از محاسبه حجم آن توسط سیستم اندازه گیری به خط لوله خروجی پالایشگاه هدایت و تحویل مدیریت منطقه عملیات انتقال گاز مربوطه می‌گردد.



فهرست مطالب
فصل اول:کلیات

فصل دوم:تحقیقات انجام شده

فصل سوم:تئوری
گاز طبیعی
عملیات نم زدایی گاز
روشهای نم زدایی گاز
نم زدایی با استفاده از واکنشگر شیمیایی
نم زدایی با استفاده از سرمایش
نم زدایی با استفاده از مایع خشک کن
اساس کار واحد تری اتیلن گلیکول
برج جذب
فواید استفاده از آکنه منظم
میزان آب موجود در گاز طبیعی
بررسی علل افزایش هرزرفت گاز خروجی از برج جذب

فصل چهارم:ارئه مدل و محاسبات
مدل جذب
روش شوت کردن
موازنه جرم
موازنه کلی جرم در فاز گاز
موازنه جز آب در فاز گاز
موازنه جز دی اکسیدکربن در فاز گاز
موازنه جز متان در فاز گاز
موازنه جز اتان در فاز گاز
موازنه جز زایلن در فاز گاز
موازنه جز زایلن در فاز گاز
موازنه کلی جرم در فاز مایع
موازنه جز آب در فاز مایع
موازنه جز آب در فاز مایع
موازنه جز تری اتیلنگلیکول در فاز مایع
موازنه جز زایلن در فاز مایع
موازنه انرژی در برج جذب
موازنه انرژی در فاز گاز
موازنه انرژی در فاز مایع

فصل پنجم:محاسبه پارامترها و معادلات مورد نیاز مدل
محاسبه پارامترهای انتقال جرم
محاسبه پارامترها مربوط به اتقال حرارت

فصل ششم:نتایج و محاسبات

نمودارهای بدست آمده برای برج جذب آکنده نامنظم
مقایسه نتایج برج جذب نامنظم و منظم
نتیجه گیری
منابع

پرداخت و دانلود

مشخصات فروشنده

نام و نام خانوادگی : محمد همتی

شماره تماس : [phone]

ایمیل :[e-mail]

سایت :fileina.com

مشخصات فایل

فرمت : pdf

تعداد صفحات : 114

قیمت : برای مشاهده قیمت کلیک کنید

حجم فایل : 3050 کیلوبایت

برای خرید و دانلود فایل و گزارش خرابی از لینک های روبرو اقدام کنید...

پرداخت و دانلودگزارش خرابی و شکایت از فایل