تعیین چگالی بارهای سطحی میان – گاه

تعیین چگالی بارهای سطحی میان – گاه - در ساختارهای SiSiGeSi که بوسیله روش رونشانی پرتو مولکولی رشد می­یابند به دلیل ناپیوستگی نوار ظرفیت یک چاه کوانتومی در نوار ظرفیت و در لایه SiGe شکل می­گیرد اگر لایه­های مجاور با ناخالصی­های نوع p آلاییده شده باشند حفره­های لایه آلاییده به داخل چاه کوانتومی می­روند و تشکیل گاز حفره­ای دوبعدی در میانگاه نزدیک لایه آلاییده می­دهند اینگونه ساختارها را

---

فهرست مطالب
فصل اول : ساختارهای دورآلاییده............... 1
مقدمه ...................................... 2
1-1 نیمه رسانا.............................. 3
1-2 نیمه رسانا با گذار مستقیم و غیر مستقیم.. 4
1-3 جرم موثر................................ 4
1-4 نیمه رسانای ذاتی........................ 6
1-5 نیمه رسانای غیر ذاتی و آلایش............. 7
1-6 نیمه رساناهای Si و Ge ..................... 10
1-7 رشد بلور ............................... 13
1-7-1 رشد حجمی بلور......................... 15
1-7-2 رشد رونشستی مواد...................... 15
1-7-3 رونشستی فاز مایع ..................... 16
1-7-4 رونشستی فاز بخار...................... 18
1-7-5 رونشستی پرتو مولکولی ................. 19
1-8 ساختارهای ناهمگون....................... 20
1-9 توزیع حالت‌های انرژی الکترون‌ها در چاه کوانتومی 21
1-10 انواع آلایش............................. 23
1-10-1 آلایش کپه­ای........................... 24
1-10-2 آلایش مدوله شده (دورآلاییدگی).......... 24
1-10-3 گاز الکترونی دوبعدی ................. 25
1-10-4 گاز حفره­ای دوبعدی.................... 26
1- 11 ویژگی و انواع ساختارهای دور آلاییده ... 27
1-11-1 انواع ساختارهای دورآلاییده به­­لحاظ ترتیب رشد لایه­ها 27
1-11-2 انواع ساختار دور آلاییده به لحاظ نوع آلاییدگی ( n یا p ) 28
1-11-3 انواع ساختار دور آلاییده دریچه­دار..... 29
1-12 کاربرد ساختارهای دور آلاییده........... 33
1-12-1 JFET.................................. 33
1-12-2 MESFET .............................. 34
1-12-3 MESFET پیوندگاه ناهمگون .............. 35
فصل دوم : اتصال فلز نیمه رسانا (سد شاتکی)... 38
مقدمه ...................................... 39
2-1 شرط ایده آل و حالتهای سطحی ............. 41
2-2 لایه تهی ................................ 44
2-3 اثر شاتکی .............................. 47
2-4 مشخصه ارتفاع سد......................... 51
2-4-1 تعریف عمومی و کلی از ارتفاع سد........ 51
2-4-2 اندازه گیری ارتفاع سد................. 57
2-4-3 اندازه گیری جریان – ولتاژ............. 57
2-4-4 اندازه گیری انرژی فعال سازی........... 60
2-4-5 اندازه گیری ولتاژ- ظرفیت............. 60
2-4-6 تنظیم ارتفاع سد ..................... 62
2-4-7 کاهش سد .............................. 62
2-4-8 افزایش سد............................. 63
2-5 اتصالات یکسوساز . ....................... 64
2-6 سدهای شاتکی نمونه ..................... 64
فصل سوم : انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده. 66
مقدمه....................................... 67
3-1 ساختار دور آلاییده معکوس p-Si/Si1-XGeX/Si ..... 68
3-2 ساختار نوار ظرفیت ساختار دور آلاییده معکوسp-Si/SiGe/Si 69
3-3 محاسبه انتقال بار در ساختارهای دور آلاییده.. 71
3-3-1 آلایش مدوله شده ایده­آل................. 71
3-3-2 محاسبات خود سازگار چگالی سطحی حاملها . 74
3-3-3 اثر بارهای سطحی بر چگالی گاز حفره­ای .. 74
3-4 روشهای کنترل چگالی سطحی حاملها ......... 76
3-4-1 تاثیر تابش نور بر چگالی سطحی حاملها .. 77
3-4-2 تاثیر ضخامت لایه پوششی بر چگالی سطحی حاملها... 78
3-4-3 دریچه دار کردن ساختار دور آلاییده ..... 79
3-5 ساختارهای دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si با دریچه بالا 79
3-6 انتقال بار در ساختارهای دورآلاییده معکوس با دریچه بالا 82
3-7 تاثیر بایاسهای مختلف بر روی چگالی سطحی ­حفره­ها 83
3-8 ملاحظات تابع موج......................... 86
3-9 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای بی دریچه 87
3-10 وابستگی Zav به چگالی سطحی حاملها در ساختارهای دریچه­دار 87
فصل چهارم : نتایج محاسبات ................. 89
مقدمه....................................... 90
4-1 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده بی دریچه Si/SiGe/Si 91
4-1-1 محاسبات نظری ns برحسب Ls .............. 91
4-1-2 محاسبات نظری ns برحسب NA ............. 96
4-1-3 محاسبات نظری ns برحسب nc ............... 99
4-1-4 محاسبات نظری کلیه انرژیهای دخیل برحسب Ls . 100
4-2 محاسبات نظری ساختارهای دورآلاییده دریچه­دار Si/SiGe/Si 100
4-2-1 محاسبات نظری ns برحسب vg ............... 100
4-2-2 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب مثبت ............................................ 107
4-2-3 بررسی نمونه ها با nsur متغیر و تابعی خطی از vg با شیب منفی............................................ 114
فصل پنجم : نتایج............................ 124
5-1مقایسه سد شاتکی با ساختار دورآلاییده دریچه دار p-Si/SiGe/Si 125
5-2 بررسی نمودارهای مربوط به چهار نمونه .... 125
پیوست ...................................... 129
چکیده انگلیسی (Abstract) ....................... 139
منابع....................................... 141
در این پایان نامه ابتدا به تشریح ساختار دورآلاییده Si/SiGe/Siمی­پردازیم و سپس مدلی نظری که بتواند ویژگیهای الکتریکی گاز حفره­ای دوبعدی درون چاه کوانتومی ساختارp-Si/SiGe/Si و همچنین میزان انتقال بار آزاد به درون چاه و بستگی آن به پارامترهای ساختار را توجیه کند ارائه می دهیم . در ساختار دورآلاییده معکوس p-Si/SiGe/Si دریچه­دار با دریچه Al/Ti/Si از این مدل نظری استفاده می­کنیم و با برازش نتایج تجربی تغییرات چگالی سطحی گاز حفره­ای بر حسب ولتاژ دریچه توانسته­ایم چگالی سطحی بارهای میانگاه Ti/Si در این ساختارها را در محدوده (m-2) 1015 × 78/1 تا (m-2) 1015 × 63/4 ارزیابی کنیم .

قیمت فقط3,000 تومان پرداخت و دانلود

مشخصات فروشنده

نام و نام خانوادگی : حسین طالب زاده

شماره تماس : [phone]

ایمیل :[e-mail]

سایت :fileforosh.ir

مشخصات فایل

فرمت : doc

تعداد صفحات : 3

قیمت : 3,000 تومان

حجم فایل : 7492 کیلوبایت

برای خرید و دانلود فایل و گزارش خرابی از لینک های روبرو اقدام کنید...

پرداخت و دانلودگزارش خرابی و شکایت از فایل