نیمهسوپراتصال lhstj rnvj

مطالعه­ ی شبیه­ سازی MOSFET قدرت نیمه-سوپراتصال با ستون SiGe - نیمهسوپراتصال lhstj rnvj

---

Simulation study of semi-superjunction power MOSFET with SiGe pillar

a b s t r a c t The feasibility of applying the semi-superjunction (Semi-SJ) with SiGe-pillar (SGP) concept to Power MOSFET is studied in this paper. The electrical performances of SGP are compared with the conventional Power MOSFET through 3D device simulation work in terms of specific-on resistance .Ron/, breakdown-voltage (BV), the effect to change the Ge mole fraction in the SGP and the thermal stabilization. The results show that the Ron is reduced by 44% on the base of BVs reducing only 4.8%, tradeoff Ron vs. BV and thermal stabilization of SGP are superior to that of conventional Semi-SJ since the strain effect inducing into the SGP structure in the low power device application.a



مطالعه­ ی شبیه­ سازی MOSFET قدرت نیمه-سوپراتصال با ستون SiGe

چکیده
امکان بکار بردن نیمه-سوپراتصال (Semi-Sj) با مفهوم ستون-SiGe(SGP) بر رویMOSFET قدرت در این مقاله بررسی می­شود. عملکردهای الکتریکیSGP با MOSFET قدرت با MOSFET قدرت قدیمی از طریق شبیه­سازی دستگاه 3Dبر حسب مقاومت ویژه­ی روشن بودن ، ولتاژ شکست ، تاثیر تغییر کسر مولی Ge در SGP و پایداری حرارتی با مقایسه می­شود. نتایج نشان می­دهند که به اندازه­ی %44 بر پایه­ی کاهش BVها تنها به اندازه­ی %4.8 کاهش می­یابد، مصالحه­ی در مقابل BV و پایداری حرارتی SGPنسبت به Semi-Sjبهتر است زیرا اثر کششیبر روی ساختار SGP در کاربرد دستگاه کم قدرت القا می­شود.

قیمت فقط29,000 تومانپرداخت و دانلود

مشخصات فروشنده

نام و نام خانوادگی : جعفر علی بیگلو

شماره تماس : [phone]

ایمیل :[e-mail]

سایت :sidonline.ir

مشخصات فایل

فرمت : doc

تعداد صفحات : 11

قیمت : 29,000 تومان

حجم فایل : 1964 کیلوبایت

برای خرید و دانلود فایل و گزارش خرابی از لینک های روبرو اقدام کنید...

پرداخت و دانلودگزارش خرابی و شکایت از فایل