مقاله در مورد تقویت کننده

لینک پرداخت و دانلود *پایین مطلب*

فرمت فایل:Word (قابل ویرایش و آماده پرینت)

تعداد صفحه:15

فهرست:

مقدمه

شمای بایاس کردن متداول

شمای بایاس کردن قابل کنترل با امپدانس

نتایج شبیه سازی شده

نتایج اندازه گیری شده

مقدمه:

تقویت کننده های قدرت رادیویی (RF) منولیتیکی (PAS) برای کاربرد در گوشی موبایل از لحاظ نسبتی در قلمرو تکنولوژیهای GaAs بودند

شکل 1 یک شکل شماتیک ساده شده یک PA شامل 2 طبقه امیتر مشترک (Q0,Q1) را نشان می دهد

مشخصات فروشنده

نام و نام خانوادگی : یعقوب ذاکری

شماره تماس : [phone]

ایمیل :[e-mail]

سایت :shopfile95.sellfile.ir

برای خرید و دانلود فایل و گزارش خرابی از لینک های روبرو اقدام کنید...

در بسیاری از تقویت کننده های RF، برای تقویت سیگنال در سطح نویز حداقل نیازمند یک سیستم حساب شده می باشیم

تقویت کننده سیگنال - در بسیاری از تقویت کننده های RF، برای تقویت سیگنال در سطح نویز حداقل نیازمند یک سیستم حساب شده می باشیم

---

تقویت کننده سیگنال

دایره های عدد نویز در بسیاری از تقویت کننده های RF، برای تقویت سیگنال در سطح نویز حداقل, نیازمند یک سیستم حساب شده می باشیم. متاسفانه طراحی یک تقویت کننده کم نویز با فاکتوهایی نظیر پایداری و بهره سنجیده می شود, برای نمونه در ماکزیمم بهره، نویز حداقل نمی تواند بدست آید. بنابراین اهمیت دارد که روشهایی را که به ما اجازه می دهند که نویز موثر را به عنوان قسمتی از نمودار اسمیت برای هدایت شباهت ها و مشاهده توازن ما بین گین و پایداری نشان می دهد توسعه می دهیم. از یک نمای تمرینی، جزء موثر تحلیل نویز ، عدد نویز تقویت کننده دو پورتی در فرم ادمیتانسی است . 9.73 2 و یا فرم معادل امپدانسی 9.74 که امپدانس منبع است . هر دو معادله از ضمیمه H مشتق شده‌اند. هنگام استفاده از ترانزیستور بطور معمول چهار پارامتر نویز شناخته می شوند که از طریقdatasheet کارخانه سازنده FET یاBJT یا از طریق اندازه گیریهای مستقیم بدست می آیند . آنها عبارتند از : - عدد نویز حداقل (همچنین اپتیمم نیز نامیده می شود) که رفتارش بستگی به شرایط پایه ای و عملکرد فرکانسی دارد . اگر وسیله, نویزی نداشته باشد ما میتوانیم Fmin را برابر 1 بدست آوریم. - مقاومت معادل نویز که برابر عکس رسانایی وسیله میباشد P 503. - ادمیانس اپتیمم منبع بجای امپدانس یا ادمیتانس ، ضریب انعکاس اپتیممopt اغلب لیست می شود. ارتباط ما بین و بوسیله رابطه زیر بیان میشود: 9.75 از زمان انتخاب پارامتر S به عنوان مناسب ترین گزینه برای طرحهای فرکانس بالا ما رابطه9.73را به فرمی تبدیل کردیم که ادمیتانسها با ضرایب انعکاس جایگزین شوند.در کنار 9.75 ما از رابطه زیر در 9.73 استفاده می کنیم : GS می تواند بصورت نوشته شود و نتیجه نهایی بصورت زیر است : در رابطه 9.77 مقدار Fmin و Rn و شناخته شده هستند. بطور کلی مهندس طراح برای تنظیم آزادی عمل دارد تا عدد نویز را تحت تاثیر قرار دهد . برای Гs=Гopt می دانیم که کمترین مقدار ممکن عدد نویز برای F= بدست می آید . برای جواب دادن به این سوال که چگونه با یک عدد نویز خاص اجازه می دهند که بگوییم Fk با Гs مرتبط است رابطه 9.77 را باید بصورت زیر بنویسیم: که عناصر موجود در طرف راست یک شکل معادله برگشتی را ارائه می دهند . یک ثابت Qk که با معادله زیر بیان می شودمعرفی میکنیم: و ارنج دوباره عبارتها معادله زیر را می دهد: تقسیم شدن بر (1+Qk) و به توان دو رساندن بعد از مقداری عملیات جبری نتیجه می‌دهد: .P 504 این یک معادله برگشتی مورد نیاز در فرم استاندارد است که می تواند بعنوان قسمتی از نمودار اسمیت ظاهر شده باشد . که موقعیت مرکز دایره dFK با عدد کمپلکس زیر نشان داده شده است : و با شعاع دو نکته جالب توجه و جود دارد که از معادله های 9.83 و 9.84 بدست می‌آیند . منیمم عدد نویز برای FK=Fmin بدست می آید که با مکان شعاع هماهنگی دارد . همه مراکز دایره های نویز ثابت در طول یک خط از محیط به نقطه کشیده شده‌اند عدد نویز بزرگتر نزدیکتر به مرکز dFk به سمت محیط حرکت می کند و شعاع rFK بزرگتر می شود . مثال زیر توازن بین بهره و عدد نویز را برای تقویت کننده سیگنال کوچک نشان می دهد . P 505. مثال 9.14: یک تقویت کننده سیگنال کوچک برای عدد نویز مینیم وگین مشخص با استفاده از ترانزیستورهای یکسان مانند مثال 9-13 طراحی کنید. یک تقویت کننده قدرت نویز پایین با 8dB بهره و عدد نویزی که کمتر از 1.6dB است رامیتوان بافرض این که که ترانزیستورهاپارامترهای نویز زیررا دارندdB Fmin-=1.5 ، طراحی کرد. حل : عدد نویز مستقل از ضریب انعکاس بار است. هر چند تابعی از امپدانس منبع است . پس مپ کردن دایره گین ثبت بدست آمده در مثال 9.13 به پلان آسان است. با بکار بردن معادلات 9.64 و 9.65 و مقادیر مثال 9.13 با مرکز و شعاع دایره گین ثابت را پیدا می کنیم: 18º dgs=0.29<- و Vgs=0.18 . یک قرار گرفته در هر جای روی این دایره، مقدار گین مورد نیاز را بر آورده خواهد کرد . هر چند برای اینکه به جزئیات عدد نویز دست یابیم باید مطمئن باشیم که داخل دایره نویز ثابت FK=2dB قرار دارد. مرکز دایره نویز ثابت و شعاع آن به ترتیب با استفاده از معادله های 9.83 و 9.84 محاسبه شده اند. آنها با هم در زیر با ضریب QK لیست شده اند 9.79 را ببینید: Q¬K=0.2 dFK=0.42 < 45 , rFk=0.36 دایره های آمدهG=8dB و Fk=1.6dB در شکل 9.17 نشان داده شده اند. شکل 9.17 توجه شود که ماکزیمم بهره قدرت در نقطه ای بدست آمده که P506. (مثال 9.11 را برای محاسبات جزئیات ببینید) هرچند عدد نویز مینمم در بدست آمده است که برای این مثال نشان می دهد که دسترسی به ماکزیمم بهره و مینیم عدد نویز بطور همزمان غیر ممکن است. آشکار است که بعضی از توافقات باید صورت گیرد. برای کوچک کردن عدد نویز برای یک گین داده شده ، ما باید ضریب انعکاس منبع را تا حد امکان نزدیک یه بر گزینیم تا زمانیکه هنوز روی دایره بهره ثابت بماند . با بکار بردن رابطه 9.62 و انتخاب دلخواه ، را بدست می دهد. عدد نویز تقویت کننده با استفاده از رابطه 9.77 بدست میآید: 9.6 دایره های VSWR ثابت . در بسیاری از موارد تقویت کننده باید زیر یک مقدار VSWR مشخص که در پورت ورودی و خروجی تقویت کننده اندازه گیری شده بمانند . رنج تغیرات VSWR بین [1.5 , 2.5] باشد1.5<=VSWR<=2.5 همانگونه که از بحثمان در فصل 8 می دانیم , هدف از شبکه های تطبیق اساسا جهت کاهش VSWR در ترانزیستوراست. مشکل از این حقیقت ناشی می شود که, VSWR ورودی (یا (VSWR¬IMN در ورودی شبکه تطبیق مشخص شده است که در برگشت بوسیله جزءهای اکتیو و از طریق فیدبک بوسیله شبکه تطبیق خروجی (OMN) تحت تاثیر است بر عکس VSWR خروجی (یا (VSWROMN بوسیله OMN و دوباره از طریق فید بک بوسیله IMN مشخص شده است . این گفته ها به یک طرح دو جانبه نزدیک است همانگونه که در بخش 9.4.3 بحث شد. برای جا افتادن این قسمت ، اجازه دهید نگاهی به تصویری که در شکل 9.18 نشان داده شده بیندازیم. دو VWSR که قسمتی از یک جزء تقویت کننده RF هستند:

قیمت فقط5,500 تومان پرداخت و دانلود

مشخصات فروشنده

نام و نام خانوادگی : مهدی حیدری

شماره تماس : [phone]

ایمیل :[e-mail]

سایت :sellu.ir

مشخصات فایل

فرمت : doc

تعداد صفحات : 28

قیمت : 5,500 تومان

حجم فایل : 146 کیلوبایت

برای خرید و دانلود فایل و گزارش خرابی از لینک های روبرو اقدام کنید...

پرداخت و دانلودگزارش خرابی و شکایت از فایل

ساخت ماده مرکب به روش ریخته گری در قالب فلزی و بررسی تأثیر دو فاکتور مختلف ( یک درصد وزنی تقویت کننده و سرعت هم زدن مخلوط مذاب)

ساخت ماده مرکب به روش ریخته گری در قالب فلزی و بررسی تأثیر دو فاکتور مختلف ( یک درصد وزنی تقویت کننده و سرعت هم زدن مخلوط مذاب) بر روی خواص مکانیکی ا - مواد مرکب به خاطر داشتن وزن سبک ، همچنین حجمی مساوی با حجم آلیاژهای دیگر و خواص مکانیکی منحصر به فردی که ارائه می کنند در دهه های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته اند

---

مواد مرکب به خاطر داشتن وزن سبک ، همچنین حجمی مساوی با حجم آلیاژهای دیگر و خواص مکانیکی منحصر به فردی که ارائه می کنند در دهه های اخیر بسیار مورد توجه قرار گرفته اند. از این مواد بیشتر در سازه های فضای و صنایع هوایی استفاده می شود. مواد مرکب از دو جزء اصلی تشکیل شده اند: 1- فلز پایه 2- عامل تقویت کننده
بصورت کلی از فلزات با وزن کم به عنوان فلز پایه و همچنین از مواد سرامیکی به عنوان تقویت کننده استفاده می شود از مهمترین و معروفترین مواد مرکب می توان به ماده مرکب با زمینه آلومینیومی و تقویت کننده ذره ای کاربیدسیلیکون اشاره کرد آلومینیوم و کاربیدسیلیکون به علت نزدیک بودن دانسیت هایشان به یکدیگر می توانند خصوصیات عالی مکانیکی را در وزن کم بوجود بیاورند در این تحقیق نحوه ساخت این ماده مرکب از روش ریخته گری در قالب فلزی مورد بررسی قرار می گیرد و تأثیر دو فاکتور مختلف ، یک درصد وزنی تقویت کننده و دیگری سرعت هم زدن مخلوط مذاب بر روی خواص مکانیکی از جمله سختی و استحکام مورد بحث و بررسی قرار می گیرد نتایج حاصل شده به ما نشان می دهد که با اضافه کردن مواد سرامیکی به فلز پایه تغییرات ای در رفتار مکانیکی فلز پایه ایجاد می شود که در این پایان نامه به تفصیل به بررسی این رفتار می پردازیم .
فهرست مطالب
عنوان صفحه
1- فصل اول: مقدمه 1
2- فصل دوم: مروری بر منابع 4
1-2- کامپوزیت های دارای ذرات ریز 5
1-1-2- خواص کامپوزیت های ذره ای 9
2-1-2- انواع کامپوزیت های ذره ای از لحاظ جنس تقویت کننده 9
2-2- کامپوزیت های تقویت شده با الیاف 11
1-2-2- خواص کامپوزیت های تقویت شده با الیاف 13
2-2-2- خصوصیات کامپوزیت های تقویت شده 15
3-2- مختصر در مورد آلومینیوم 24
4-2- سرامیک های پیشرفته 26
5-2- توضیحات مختصر در مورد آزمون مکانیکی 27
1-5-2- آزمون سختی 27
2-5-2- آزمون کشش 29
2-5-3- آزمون تخلخل سنجی30
3- فصل سوم: روش انجام آزمایش 32
4- فصل چهارم: تحلیل نتایج 50
1-4- نتایج حاصل از آزمون نونه AX 52
2-4- نتایج حاصل از آزمون نونه BX 54
3-4- نتایج حاصل از آزمون نونه CX56
4-4- نتایج حاصل از آزمون نونه DX 58
5-4- نتایج حاصل از آزمون نونه EX60
6-4- نتایج حاصل از آزمون نونه AY 62
7-4- نتایج حاصل از آزمون نونه BY64
8-4- نتایج حاصل از آزمون نونه CY66
9-4- نتایج حاصل از آزمون نونه DY 68
10-4- نتایج حاصل از آزمون نونه EY70
11-4- نتایج حاصل از آزمون نونه AZ 72
12-4- نتایج حاصل از آزمون نونه BZ 74
13-4- نتایج حاصل از آزمون نونه CZ76
14-4- نتایج حاصل از آزمون نونه DZ78
15-4- نتایج حاصل از آزمون نونه EZ80
5- فصل پنجم: تفسیر نتایج100
نتیجه گیری 109
پیشنهادات 110
منابع 111
فهرست شکل ها
عنوان صفحه
2-1- فرم های مختلف ساختارهای کامپوزیت 5
2-2- فرآیند ریخته گری کامپوزیت 12
2-3- نمایش تنش کششی و برشی 15
2-4- ساختار کامپوزیت لایه ای 19
2-5- کامپوزیت تقویت کننده شده با الیاف 19
2-6- نمونه آزمون کشش 30
3-1- نمونه آزمون کشش 47
4-1- ساختار AX 53
4-2- ساختار BX 55
4-3- ساختار CX 57
4-4- ساختار DX 59
4-5- ساختار EX 61
4-6- ساختارAY 63
4-7- ساختارBY 65
4-8- ساختارCY 67
4-9- ساختارDY 69
4-10- ساختار EY 71
4-11- ساختار AZ 73
4-12- ساختارBZ 75
4-13- ساختار CZ 77
4-14- ساختار DZ 79
4-15- ساختارEZ 81
فهرست نمودارها
عنوان صفحه
2-1- مقایسه بین استحکام تسیلم 7
2-2- تأثیر خاک رس برخواص11
2-3- نمودار تنش – کرنش14
2-4- ازدیاد طول شیشه 16
4-1- نمودار کشش AX 52
4-2- نمودار کشش BX 54
4-3- نمودار کشش CX 56
4-4- نمودار کشش DX 58
4-5- نمودار کشش EX 60
4-6- نمودار کشش AY 62
4-7- نمودار کشش BY64
4-8- نمودار کششCY 66
4-9- نمودار کششDY 68
4-10- نمودار کششEY 70
4-11- نمودار کشش AZ72
4-12- نمودار کششBZ 74
4-13- نمودار کششCZ 76
4-14- نمودار کششDZ 78
4-15- نمودار کشش EZ80
4-16- منحنی بر حسب SiC در سرعت 40082
4-17- منحنی بر حسب SiC در سرعت 80084
4-18- منحنی بر حسب SiC در سرعت 120086
4-19- تنش بر حسب SiC در سرعت 40088
4-20- تنش بر حسب SiC در سرعت 80090
4-21- تنش بر حسب SiC در سرعت 120092
4-22- انرژی بر حسب SiC در سرعت 40094
4-23- انرژی بر حسب SiC در سرعت 80096
4-24- انرژی بر حسب SiC در سرعت 120098
فهرست جداول
عنوان صفحه
2-1- مثالها و کاربردهای کامپوزیت 8
2-2- خواص الیاف 22
2-3- تأثیر مکانیزم های استحکام بخش در آلومینیوم 25
2-4- خواص سرامیک ها 27
4-1- درصد وزنی SiC 50
4-2- سرعت همزن 51
4-3- سختی نمونه AX 53
4-4- سختی نمونه BX 55
4-5- سختی نمونه CX 57
4-6- سختی نمونه DX59
4-7- سختی نمونه EX61
4-8- سختی نمونه AY63
4-9- سختی نمونه BY 65
4-10- سختی نمونه CY67
4-11- سختی نمونه DY69
4-12- سختی نمونه EY71
4-13- سختی نمونه AZ73
4-14- سختی نمونه BZ75
4-15- سختی نمونه CZ77
4-16- سختی نمونه DZ79
4-17- سختی نمونه EZ81
4-18- سختی بر حسب SiC سرعت 400 82
4-19- بیشترین و کمترین سختی سرعت 400 83
4-20- تغییرات سختی 83
4-21- سختی بر حسب SiC سرعت 800 84
4-22- بیشترین و کمترین سختی سرعت 800 85
4-23- تغییرات سختی 85
4-24- سختی بر حسب SiC سرعت 1200 86
4-25- درصد تغییرات سختی87
4-26- تنش شکست بر حسب SiC سرعت 400 88
4-27- بیشترین و کمترین تنش سرعت 400 89
4-28- تغییرات تنش سرعت 400 89
4-29- تنش بر حسب درصد SiC سرعت 800 90
4-30- بیشترین و کمترین تنش 91
4-31- تغییرات تنش سرعت 80091
4-32- تنش بر حسب درصد SiC سرعت 1200 92
4-33- بیشترین و کمترین تنش93
4-34- تغییرات تنش سرعت 120093
4-35- انرژی بر حسب SiC سرعت 400 94
4-36- بیشترین و کمترین تنش95
4-37- تغییرات تنش سرعت 400 95
4-38- انرژی بر حسب SiC سرعت 800 96
4-39- بیشترین و کمترین تنش97
4-40- درصد تغیرات انرژی سرعت 80097
4-41- انرژی بر حسب SiC سرعت 1200 98
4-42- بیشترین و کمترین تنش99
4-43- تغییرات انرژی سرعت 120099

قیمت فقط9,900 تومان پرداخت و دانلود

مشخصات فروشنده

نام و نام خانوادگی : مهدی حیدری

شماره تماس : [phone]

ایمیل :[e-mail]

سایت :sellu.ir

مشخصات فایل

فرمت : doc

تعداد صفحات : 120

قیمت : 9,900 تومان

حجم فایل : 6350 کیلوبایت

برای خرید و دانلود فایل و گزارش خرابی از لینک های روبرو اقدام کنید...

پرداخت و دانلودگزارش خرابی و شکایت از فایل

طراحی المانهای یک ترانزیستور با استفاده از الگوریتم ژنتیک

یافتن المانهای تقویت کننده های امیتر و کلکتور مشترک برای رسیدن به بهره خواسته شده - طراحی المانهای یک ترانزیستور با استفاده از الگوریتم ژنتیک

---

در این گزارش به تشریح طراحی المانهای یک ترانزیستور با استفاده از الگوریتم ژنتیک برای رسیدن به یک بهره مشخص خواهیم پرداخت .
در بسیاری از اوقات نیاز است که برای داشتن یک بهره ( ولتاژ یا جریان) به طراحی تک تک المانهای مدار پرداخت ، که این کار یک کار وقت گیر میباشد که نیاز به حل چند معادله وچند مجهول است . که برای رفع این مشکل در این تحقیق از یک الگوریتم پر کاربرد به نام الگوریتم ژنتیک ، برای طراحی المانهای مداری استفاده شده است .
المانهایی که در این تحقیق طراحی می شوند عبارتند از :R1 ،R2 ، RC ، RE و Vcc

این تحقیق قادر است المانهای امیتر مشترک و کلکتور مشترک برای رسیدن به یک بهره دلخواه را طراحی کند .

قیمت فقط40,000 تومانپرداخت و دانلود

مشخصات فروشنده

نام و نام خانوادگی : جعفر علایی

شماره تماس : [phone]

ایمیل :[e-mail]

سایت :sidonline.ir

مشخصات فایل

فرمت : zip

تعداد صفحات : 27

قیمت : 40,000 تومان

حجم فایل : 101 کیلوبایت

برای خرید و دانلود فایل و گزارش خرابی از لینک های روبرو اقدام کنید...

پرداخت و دانلودگزارش خرابی و شکایت از فایل

تقویت کنندهای تفاضلی

تقویت کنندهای تفاضلی - در این مقاله به بررسی و تجزیه و تحلیل تقویت کننده های خاصی می پردازیم که اساسا از ترکیب دو ترانزیستور به وجود آمده اند و تقویت کننده های تفاضلی نام گرفته اند

---

دانلود مقاله رشته الکترونیک
تقویت کنندهای تفاضلی

مقدمه
در این مقاله به بررسی و تجزیه و تحلیل تقویت کننده های خاصی می پردازیم که اساسا از ترکیب دو ترانزیستور به وجود آمده اند و تقویت کننده های تفاضلی نام گرفته اند. این تقویت کننده ها در بسیاری از مدارهای الکترونیکی از جمله ،‌تقویت کننده های فرکانس پایین و فرکانس بالا مدولاتورها و حتی دروازه های منطقی به چشم می خورند. در طبقه ورودی کلیه تقویت کننده های عملیاتی به نحوی از یک تقویت کننده تفاضلی استفاده می شود . این تقویت کننده از پایداری با یاس مطلوبی برخوردار بوده و میت واند بهره ولتاژ قابل توجهی را تامین نماید. طبقات مختلف این تقویت کننده بدون نیاز به خازن کوپلاژ قابل اتصال به یکدیگر هستند. با توجه به مزایای مذکور این تقویت کننده برای کاربرد در مدارهای مجتمع بسیار مناسب است .


کلمات کلیدی:
ترانزیستور
تقویت کننده
تقویت کننده تفاضلی


اصول کار و ساختمان :
در تقویت کننده های تک ترانزیستوری مثلا در ترکیب امیتر مشترک ،‌برای دستیابی به پایداری جریان بایاس لازم است از فیدبک منفی به صورت اتصال یک مقاومت بین امیتر و زمین استفاده نمود. اما همان طور که می دانیم افزودن این مقاومت بهره ولتاژ تقویت کننده را کاهش می دهد و برای رفع این مشکل از یک خازن کنار گذر به موازات مقاومت امیتر استفاده می شود. استفاده از خازن در مدارهای مجتمع به دلیل سطح زیادی که بر روی تراشه اشغال می کند ، مطلوب نمی باشد. در یک تقویت کننده تفاضلی به جای خازن کنار گذر ،‌مسیر سیگنال از طریق یک ترانزیستور دیگر به زمین بسته می شود. در شکل 1-1 منبع جریان امیتر ،‌پایداری بایاس را تامین نموده و سیگنال از طریق بیس – امیتر ترانزیستور Q2 به زیمن راه می یابد . مقاومت Rc در کلتکور ترانزیستور Q2 تاثیری در ایفا نقش مذکور توسط ترانزیستور Q2 ندار. اضافه نمودن این مقاومت این امکان را ایجاد می کند که به بیس ترانزیستور Q2 نیز ورودی دیگری متصل شود .





فهرست مطالب
تقویت کنندهای تفاضلی 1
اصول کار و ساختمان : 1
تعاریف اساسی 2
تقویت کننده تفاضلی با ترانزیستور های دو قطبی (BJT) 4
تقویت کننده تفاضلی با ترانزیستور های غیر یکسان 8
نتیجه 12

قیمت فقط7,000 تومانپرداخت و دانلود

مشخصات فروشنده

نام و نام خانوادگی : محمد همتی

شماره تماس : [phone]

ایمیل :[e-mail]

سایت :fileina.com

مشخصات فایل

فرمت : doc

تعداد صفحات : 13

قیمت : 7,000 تومان

حجم فایل : 95 کیلوبایت

برای خرید و دانلود فایل و گزارش خرابی از لینک های روبرو اقدام کنید...

پرداخت و دانلودگزارش خرابی و شکایت از فایل